在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的國(guó)產(chǎn)率都基本是0，技術(shù)及產(chǎn)能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、東芝等公司手中，尤其是高價(jià)值的DRAM內(nèi)存芯片，三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份額。
國(guó)內(nèi)的DRAM內(nèi)存芯片布局主要有合肥長(zhǎng)鑫/兆易創(chuàng)新的內(nèi)存芯片項(xiàng)目，福建晉華與臺(tái)聯(lián)電合作的內(nèi)存項(xiàng)目由于被美國(guó)制裁而陷入了困境。除了DRAM芯片，國(guó)內(nèi)還是一些公司主攻內(nèi)存接口芯片，前不久宣布津逮系列國(guó)產(chǎn)X86處理器的杭州瀾起科技就是其中之一，該公司正在申請(qǐng)國(guó)內(nèi)的科創(chuàng)板上市，日前在招股書(shū)中披露了他們?cè)贒DR內(nèi)存芯片上的技術(shù)進(jìn)展及布局。
瀾起科技成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，公司2018年?duì)I業(yè)收入175,766.46萬(wàn)元，凈利潤(rùn)73,687.84萬(wàn)元。
瀾起科技發(fā)明了DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)，最終被JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)采納。公司憑借具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高速、低功耗技術(shù)，為新一代服務(wù)器平臺(tái)提供完全符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的高性能內(nèi)存接口解決方案，同時(shí)正積極參與DDR5 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的制定，是全球可提供從DDR2到 DDR4內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一，在該領(lǐng)域擁有重要話(huà)語(yǔ)權(quán)。
目前，公司根據(jù)內(nèi)存模組制造商的研發(fā)進(jìn)度，積極布局研發(fā)DDR5存接口芯片，新一代產(chǎn)品能夠有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。
根據(jù)瀾起科技的公告，在內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)領(lǐng)域，為鞏固公司的市場(chǎng)領(lǐng)先地位，瀾起在未來(lái)三年完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
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